Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

SCHÄFER Jan HNILICA Jaroslav ŠPERKA Jiří QUADE Antje KUDRLE Vít FOEST Rüdiger VODÁK Jiří ZAJÍČKOVÁ Lenka

Rok publikování 2016
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Surface and Coatings Technology
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.09.047
Obor Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane; Tetrakis(trimethylsiloxy)silane; Plasma jet; Silicon dioxide
Přiložené soubory
Popis We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a radiofrequency and a microwave plasma jets operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.